UV光解设备的氧化原理是以n型半导体作为主要催化剂的特殊光催化其半导体能够在一定程度上激活相应的能量源，使得价得到电子然后受激发转变成为光生电子从而形成光生空穴现象，光生空穴与激发到导带的电子形成电 子空穴，电子空穴运动到半导体粒子的表面然后生成具有氧化能力，电子的高活性自由基会加速反应中的降解作用。

而UV光解设备的氧化过程中最重要的一点就是有关光催化剂的选择而光催化的活性高低能够直接影响UV光解设备的氧化效果。